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印度理工大学电子与通信系B. K. Kaushik教授来锡作学术交流报告
发布日期:2018-06-07 浏览量:

2018年5月30日,应IEEE Nanjing Section ED-SSC Chapter、东南大学无锡分校以及专用集成电路技术研究所的邀请,印度理工大学电子与通信系教授B. K. Kaushik于东南大学无锡分校作主题为“Modeling and Applications of FinFET”的学术交流报告,近30名博士生和硕士研究生参加了本次学术报告。

B. K. Kaushik教授目前的研究包括高速互连、低功耗超大规模集成设计、存储器设计、基于碳纳米管的设计、有机电子学、FinFET器件电路协同设计以及电子设计自动化等。

在本次交流报告中,B. K. Kaushik教授介绍了FinFET这种非平面多栅技术,指出FinFET技术通过改进通道上栅极的静电控制,解决了短通道效应对亚20 nm技术节点的挑战。同时也为介绍了3D FinFET技术的优势所带来了几个挑战,包括驱动电流问题、较高寄生电感、Fin宽度问题等等。最后,B. K. Kaushik教授介绍了用于解决未覆盖区域掺杂不足问题的Hi-k间隔技术和high-k / low-k间隔物界面效应的建模方法。

本次学术交流会极大激发了同学们对于功率器件研究方向的兴趣,提高了科研创新的信心,同时也对3D FinFET技术有了更进一步深入的理解。



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